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IRL3102S
4200
3600
V GS =
C iss =
C rss =
C oss =
0V,    f = 1MHz
C gs + C gd , C ds SHORTED
C gd
C ds + C gd
15
12
I D = 35A
V DS = 16V
3000
2400
C iss
9
1800
1200
600
C oss
C rss
6
3
0
1
10
100
0
0
20
40
60
80
100
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
T J = 150 ° C
100
100us
1ms
T J = 25 ° C
10
10
10ms
1
0.2
0.8
1.4
V GS = 0 V
2.0         2.6
1
1
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
Single Pulse
10
100
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
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